一、外观检查

目视检查

观察可控硅表面是否有裂纹、破损或氧化层不均匀现象。若发现物理损伤，建议更换元件。

二、电阻值测试

正反向电阻测量

- 使用万用表R×1Ω挡，红黑表笔分别测量任意两引脚间的正反向电阻。

- 对于单向可控硅，正反向电阻应接近无穷大（表针基本不动）。

- 对于双向可控硅，需分别测量两组（如A1-G、A2-G），其中一组电阻较小（数十欧姆），另一组接近无穷大。

控制极与阴极电阻

- 在正向电阻测试中，读数为数十欧姆的一对引脚，黑表笔为控制极G，红表笔为阴极K，空引脚为阳极A。

三、触发特性测试

单向可控硅触发测试

- 将黑表笔接阳极A，红表笔接阴极K，万用表置于R×1Ω挡。

- 断开G极瞬间，若指针偏转至10Ω左右，说明触发正常；若指针不偏转或偏转过大，则可能损坏。

双向可控硅触发测试

- 选择T1极（红表笔）和T2极（黑表笔），黑表笔接G极，红表笔接T2极。

- 断开G极瞬间，指针应偏转至数十至一百欧，且触发电压较低；若指针立即回零，则可能触发电流过大或损坏。

四、其他辅助测试

耐压测试

- 使用交流电源进行耐压测试，观察是否在额定电压下正常工作（通常为正向电压峰值的2-3倍）。

温度测试

- 可控硅工作温度一般为25℃，高温（如100℃）会导致效率降低甚至损坏。测量时注意散热情况。

五、参数对比

将测量结果与手册参数对比，确保正向阻断峰值电压（VPF）和反向阻断峰值电压（VPR）在允许范围内。

总结

通过外观检查、电阻测量、触发特性测试及参数对比，可综合判断可控硅的好坏。若测试失败，建议更换元件并咨询专业维修人员。