场效应晶体管（FET）的命名方式主要依据其结构类型、型号体系、制造商或产品系列进行分类，具体如下：

一、按类型命名

JFET（结型场效应晶体管）

以"J"表示结型，后续字母代表沟道类型（如N沟道或P沟道）。

MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）

以"M"表示金属氧化物半导体作为栅极材料。

二、按型号命名

传统命名规则

- 第一个字母表示类型（如"J"表示结型，"M"表示MOSFET）。

- 第二个字母表示材料（如"D"表示P型硅，"C"表示C型硅）。

- 后续数字和字母表示产品型号序号及规格参数，例如3DJ6D表示结型N沟道场效应晶体管。

国产命名特点

- 大功率器件型号通常以"3D"开头，例如3DZ6F表示大功率结型场效应管。

三、按制造商命名

不同厂商采用自定义命名体系，例如：

IRFD120：

可能包含系列、类型及封装信息。

BS170：常见于特定厂商的产品线。

四、按系列命名

部分型号通过系列编号区分，例如：

3DJ6F：表示3D系列结型场效应管。

3C01：可能对应特定参数的MOSFET。

五、其他命名方式

功能描述型：如"N沟道增强型场效应管"（MOSFET）。

封装标识：部分型号直接标注封装类型（如贴片封装D极朝上）。

总结

场效应晶体管的命名方式因应用场景和厂商不同而有所差异，但通常包含类型、材料、型号或制造商代码等关键信息。实际应用中需结合型号手册或数据表理解具体参数。